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SLD90N03T 90A 30V 高性能N通道MOSFET的參數(shù)解析與引腳布局
類(lèi)別:產(chǎn)品新聞 發(fā)布時(shí)間:2025-02-24 10:40:04 瀏覽人數(shù):13001

SLD90N03T是一款由美浦森生產(chǎn)的高性能N通道功率MOSFET,廣泛應(yīng)用于電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)和脈沖寬度調(diào)制(PWM)等領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹該器件的關(guān)鍵參數(shù)和引腳布局,幫助工程師更好地理解和應(yīng)用這一高性能半導(dǎo)體器件。

產(chǎn)品概述


SLD90N03T采用先進(jìn)的TRENCH工藝制造,旨在最小化導(dǎo)通損耗,提供卓越的開(kāi)關(guān)性能,并在雪崩和換向模式下承受高能量脈沖。其主要特點(diǎn)包括極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on))、快速開(kāi)關(guān)能力以及100%雪崩測(cè)試,確保器件在各種復(fù)雜工況下的可靠性。



關(guān)鍵參數(shù)


(一)電氣參數(shù)


    導(dǎo)通電阻(RDS(on))


        在VGS = 10V時(shí),RDS(on)典型值為3.8mΩ,最大值為4.5mΩ。
        在VGS = 4.5V時(shí),RDS(on)典型值為5.5mΩ,最大值為7.0mΩ。
        低導(dǎo)通電阻意味著在高電流應(yīng)用中,器件的功耗更低,效率更高。

    擊穿電壓(BVDSS)


        SLD90N03T的漏源擊穿電壓為30V,確保在額定電壓下穩(wěn)定工作,同時(shí)為過(guò)壓情況提供一定的安全裕度。

    漏極電流(ID)


        連續(xù)漏極電流在25℃時(shí)為90A,而在100℃時(shí)為58A。
        脈沖漏極電流可達(dá)360A,適用于高功率脈沖應(yīng)用。

    柵極電壓(VGSS)


        柵極-源極電壓范圍為±20V,確保在不同驅(qū)動(dòng)電壓下穩(wěn)定工作。

    動(dòng)態(tài)參數(shù)


        輸入電容(Ciss)為1950pF,輸出電容(Coss)為320pF,反向傳輸電容(Crss)為240pF。

        開(kāi)關(guān)特性包括13ns的開(kāi)通延遲時(shí)間(td(on))和36ns的開(kāi)通上升時(shí)間(t(on)),以及43ns的關(guān)斷延遲時(shí)間和16ns的關(guān)斷下降時(shí)間。

        總柵極電荷(Qg)為42nC,柵源電荷(Qgs)為4nC,柵漏電荷(Qgd)為14nC。

    雪崩能量(EAS)


        單脈沖雪崩能量為90mJ,確保器件在過(guò)載情況下能夠安全地承受反向恢復(fù)能量。

(二)熱參數(shù)


    熱阻(RθJC)

        結(jié)點(diǎn)至外殼的熱阻為1.67℃/W,表明該器件具有良好的散熱性能,能夠在高功率應(yīng)用中保持較低的結(jié)溫。


    工作溫度范圍

        工作和存儲(chǔ)溫度范圍為-55℃至+150℃,適用于各種惡劣環(huán)境。

(三)封裝與引腳


SLD90N03T采用D-Pak封裝,具有良好的散熱性能和機(jī)械穩(wěn)定性。其引腳布局如下:

引腳     功能
G         柵極(Gate)
S          源極(Source)
D         漏極(Drain)



D-Pak封裝的引腳分布清晰,便于PCB布局和焊接。其封裝尺寸符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。

典型應(yīng)用


SLD90N03T的低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性使其在以下應(yīng)用中表現(xiàn)出色:

    電源管理

        作為開(kāi)關(guān)元件,用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、開(kāi)關(guān)電源和電源適配器中,提高電源轉(zhuǎn)換效率。

    負(fù)載開(kāi)關(guān)

        在負(fù)載切換過(guò)程中,快速開(kāi)關(guān)能力可減少開(kāi)關(guān)損耗,提高系統(tǒng)穩(wěn)定性。

    脈沖寬度調(diào)制(PWM)
        適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器和PWM控制器等應(yīng)用,提供高效率和高可靠性。

總結(jié)


SLD90N03T是一款高性能的N通道功率MOSFET,其低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)能力和卓越的熱性能使其成為電源管理和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇。通過(guò)了解其關(guān)鍵參數(shù)和引腳布局,工程師可以更好地將其應(yīng)用于各種復(fù)雜電路設(shè)計(jì)中,實(shí)現(xiàn)高效、可靠的功率控制。

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